大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōn项数怎么求公式，等差数列的项数怎么求g)过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办(项数怎么求公式，等差数列的项数怎么求bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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