大家好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ商议的近义词是什么呢 标准答案，商议的近义词是什么呢二年级)国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应商议的近义词是什么呢 标准答案，商议的近义词是什么呢二年级停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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