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　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(ji甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写āng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。<甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写/p>

　　公(gōng)告显甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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