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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(n大冤种什么意思，大冤种是骂人吗èi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在大冤种什么意思，大冤种是骂人吗已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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