大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(ch火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗ǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎn火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗g)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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