大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必冷藏柜1-7档哪个最合适，冷藏柜1-7档哪个最合适呢要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国冷藏柜1-7档哪个最合适，冷藏柜1-7档哪个最合适呢法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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