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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(ch狼籍和狼藉哪个正确，狼籍与狼藉到底怎么区别ǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入狼籍和狼藉哪个正确，狼籍与狼藉到底怎么区别从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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