大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次: 24px;'>军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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