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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依3寸照片是几x几厘米 3寸照片是多少厘米法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)3寸照片是几x几厘米 3寸照片是多少厘米产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全3寸照片是几x几厘米 3寸照片是多少厘米(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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