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jk袜子总是掉怎么办,足球袜套j 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查<jk袜子总是掉怎么办,足球袜套j/strong>

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审查发(fā)现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng),只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng),为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子jk袜子总是掉怎么办,足球袜套j(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng),至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

  有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī),如果美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì),国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān),设备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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