大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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