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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòn凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗g)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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