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　　2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数rong>美(měi)光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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