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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光幂级数展开式常用公式，幂级数展开式怎么推导(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一(幂级数展开式常用公式，幂级数展开式怎么推导yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就幂级数展开式常用公式，幂级数展开式怎么推导分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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