大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构实属和属实区别在哪，实属与属实的区别(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称实属和属实区别在哪，实属与属实的区别，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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