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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关上海梅林和中粮梅林的区别 中粮和梅林哪个更好键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经上海梅林和中粮梅林的区别 中粮和梅林哪个更好显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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