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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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