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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关(guān)键顺产后宫缩第几天最疼，顺产后宫缩疼的厉害怎么缓解信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)顺产后宫缩第几天最疼，顺产后宫缩疼的厉害怎么缓解片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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