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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yī翩跹和蹁跹的区别，翩跹和蹁跹拼音ng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(翩跹和蹁跹的区别，翩跹和蹁跹的区别，翩跹和蹁跹拼音翩跹和蹁跹拼音bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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