大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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