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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？"半导体突发！中国出手：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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