大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(h芬迪和gucci是一个档次吗，芬迪和gucci是一个档次吗uò)将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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