大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防姚笛为文章打过几次胎，文章和姚笛生孩子了嘛范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。姚笛为文章打过几次胎，文章和姚笛生孩子了嘛>

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yu姚笛为文章打过几次胎，文章和姚笛生孩子了嘛án)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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