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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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